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在新能源與工業(yè)電源領域，高效、高可靠性功率器件是系統(tǒng)設計的核心。華太電子正式發(fā)布超結二代（SJ-IGBT）家族新品—HGW75N65S2HEM與HKW75N65S2HEM，以650V/75A雙規(guī)格、超低損耗與智能集成設計，為中高壓應用提供了更加高效和可靠的解決方案。

隨著工業(yè)射頻電源、粒子加速器、醫(yī)療影像、射頻加熱等領域的快速發(fā)展，射頻功率放大器正面臨前所未有的技術挑戰(zhàn)。大功率、高效率、高可靠性已成為射頻功放器件發(fā)展的核心方向。在這一背景下，華太電子推出的3K0射頻功放器件，憑借超高壓RF-LDMOS工藝和封裝等多項技術突破，成功站上行業(yè)前沿，成為射頻功放領域的標桿產(chǎn)品。

近年來，隨著全球能源轉(zhuǎn)型的加速，光伏發(fā)電和變頻控制領域迎來爆發(fā)式增長。作為該領域的核心控制器件，MCU芯片的性能直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠性和成本競爭力。華太電子的MCU基于ARM雙核Cortex-M7架構研發(fā)的高性能控制芯片，已在光伏逆變器和工業(yè)變頻器中獲得廣泛應用。然而，面對國際大廠的生態(tài)壁壘和客戶系統(tǒng)的高遷移成本，如何突破市場信任瓶頸成為關鍵課題。近期，華太電子SOC產(chǎn)品線通過自主搭建逆變器系統(tǒng)進行芯片全場景驗證，成功證明了其技術成熟度，為市場競爭開辟了新路徑。

華太電子全新推出的 HTM9GO9S015P 和 H9G3438M15P 兩款 LDMOS 放大器，分別覆蓋 1.8 - 950 MHz 和 3.4 - 3.8 GHz 的頻段，均提供 15W 的輸出功率。這兩款產(chǎn)品憑借其高效、穩(wěn)定的性能，為 5G 和無線通信應用提供了強大的技術支持。